REPORT BACKGROUND

以Si、Ge元素為代表的第一代半導體材料及以GaAs, GaP, InP等化合物為代表的第二代半導體材料，隨著科學技術及相關產業的迅速發展，已不能滿足現在電子產業的發展要求。以SiC、III-族氮化物、ZnO寬帶隙半導體為代表的的第三代化合物半導體材料迅速發展起來。超寬禁帶半導體氮化鋁(AlN)和氧化鎵(GaO)基材料, 亦稱第四代半導體, 對其研究和探索正于熱點和前沿。

2026年6月5日上午，美國肯尼索州立大學兼職教授, 中國臺灣大學榮退教授、廣西大學杰出教授馮哲川，受邀為武漢頤光科技有限公司的工程師們帶來《超寬禁帶和寬禁帶及先進化合物半導體材料與結構的橢偏和FTIR反射光譜學研究》的主題報告。介紹馮教授團隊多年來的應用橢偏光譜于AlN和GaO基與傅里葉變換紅外(FTIR)反射光譜學于氮化鎵和碳化硅外延材料以及II-VI和III-V半導體化合物和結構的研究和成果。

REPORT CONTENT

馮教授詳細而親切地介紹了團隊多年來應用橢偏光譜對AlN和GaO薄膜材料的研究與成果。例：圖1和圖2分別展示了在不同晶面藍寶石襯底上磁控濺射AlN薄膜樣件，和藍寶石襯底上生長Ga2O3薄膜樣件的橢偏分析結果。

圖1 不同晶面藍寶石襯底上磁控濺射AlN薄膜樣件

圖2 藍寶石襯底上生長Ga2O3薄膜樣件

圖3 藍寶石襯底上生長GaN薄膜樣件

圖4 交流現場照片

GUEST INTRODUCTION

馮哲川教授系前廣西大學物理科學與工程技術學院杰出教授(2015.3-2020.12)，中國臺灣大學光電所暨電機系(2003.8-2015.1)退休教授，獲得學士/碩士(1968/1981，北京大學)、博士(1987,匹茲堡大學-美國)，1988-2003工作于Emory大學(美)，新加坡國立大學，EMCORE公司，材料工程研究院(新加坡)，喬治亞理工學院。2021年在美國亞特蘭大家中建立Science Exploring Lab(科學探索實驗室)，2022年起加入Kennesaw State University 電機與計算機工程系擔任兼職(adjunct)教授及進行教學和研究并指導研究生/大學生至今，今夏在華作2個月訪問至7月中。

馮教授已出版了半導體領域的14本專書，12 本編輯及2本寫作書“新興半導體和氧化物的拉曼散射"，“先進半導體與量子結構的光致發光光譜學"，2024 及今年已出版；已發表過約 900 篇學術論文(超過500多篇SCI)并被引用9400 多次。從事于化合物和寬能隙半導體研究40 多年，成果多且杰出。2013年榮膺 SPIE(國際光學與光子工程學會) Fellow(會士)至今。他受邀擔任過華中科技大學、南開大學、四川大學、南京工業大學、華南師范大學、天津師范大學的訪問客座教授。

馮哲川教授在廣西大學任職期間曾購買武漢頤光科技有限公司穆勒矩陣光譜橢偏儀，是頤光科技最早的客戶之一， 10多年一直與頤光科技保持緊密聯系，在橢偏測量表征及相關應用開展了諸多合作，發表了多篇有影響力的論文及成果。馮教授的蒞臨交流，讓我們倍感榮幸，也深深欽佩到他做科研工作的嚴謹和投入。馮教授不僅是我們尊敬的用戶，更是我們始終敬重的良師益友。

圖5 廣西大學光電子材料與探測技術實驗室